Комплекс для измерения относительной диэлектрической проницаемости по методике полосковых резонаторов ОДППРС-2020

Назначение

Комплекс предназначен для проведения измерений и контроля значений относительной диэлектрической проницаемости (ɛ_r) и тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) листовых диэлектрических материалов в СВЧ диапазоне частот.

Полосковые резонаторы предназначены для измерения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в СВЧ диапазоне частот (от 1 до 18 ГГц). В качестве исследуемых образцов могут выступать нефольгированные листовые диэлектрические материалы, стеклотекстолиты, гетинаксы, СВЧ ламинаты, применяемые в радиоэлектронной промышленности в качестве базовых материалов и препрегов печатных плат.

Измерения диэлектрических свойств материалов производятся согласно методике измерений МИ ОДППРС-2020, в соответствии с которой относительная погрешность измерений составляет:

1. Для относительной диэлектрической проницаемость в диапазоне от 1,05 до 40 не более ±2,5%.
2. Для тангенса угла диэлектрических потерь в диапазоне от 0,001 до 0,05 не более ±10%.

Особенности

Важной особенностью использования полосковых резонаторов, в которых измерения диэлектрических свойств материалов проводятся в направлении оси Z, является оценка диэлектрических материалов в режимах, приближенных к реальным для СВЧ линий передач.
В настоящее время измерения диэлектрических свойств материалов, при помощи полосковых резонаторов, возможно на частотах 1; 2; 2,5; 5; 10 и 15 ГГц. В зависимости от специфики выпускаемых материалов и требований Заказчика, возможны измерения на отличных частотах.
Размеры образцов выбираются в зависимости от требуемой частоты в соответствии с таблицей:

Состав комплекса